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IT之家 6 月 29 日消息，比利时微电子研究中心 (IMEC) 以及 ASML 今日宣布，双方将在开发最先进高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻试验线的下一阶段加强合作，为使用半导体技术的行业提供原型设计平台和未开发的未来机遇。

IT之家从官方新闻稿中看到，双方签署的谅解备忘录包括在比利时鲁汶的 IMEC 试验线安装和服务 ASML 的全部先进光刻和测量设备，包括最新的 0.55 NA EUV（TWINSCAN EXE:5200）、0.33 NA EUV（TWINSCAN NXE:3800）、DUV 浸没（TWINSCAN NXT:2100i）、Yieldstar 光学测量和 HMI 多光束等。这意味着该试点线将具有非常重要的价值，特别是在高级试点线上。

官方表示，这项开创性的新高 NA 技术对于开发高性能、节能型芯片至关重要，例如下一代 AI 系统。它还能够用于解决我们社会面临的一些主要挑战的创新深度技术成为可能，例如医疗保健、营养、移动 / 汽车、气候变化和可持续能源等领域。

为确保在 2025 年之后实现行业范围内的广泛访问高级 NA EUV 光刻技术，需要进行大量的投资，并保持与欧洲相关的先进节点过程研发能力。

据介绍，这一谅解备忘录启动了 ASML 和 IMEC 在高级 NA EUV 上的下一阶段密集合作。第一阶段的工艺研究正在使用第一台高级 NA EUV 扫描仪 (TWINSCAN EXE:5000) 在 imec-ASML 高级 NA 实验室中执行。

IMEC 和 ASML 将与所有领先的芯片制造商、材料和设备生态系统合作伙伴合作，目的是为最快可能地大规模制造做好技术准备。

在下一阶段，这些活动将在比利时鲁汶市 IMEC 试点线的下一代高级 NA EUV 扫描仪 (TWINSCAN EXE:5200) 上加速进行。

“ASML 正在向 IMEC 最先进的试点工厂做出实质性承诺，以支持欧洲的半导体研究和可持续创新。随着人工智能 (AI) 迅速扩展到自然语言处理、计算机视觉和自主系统等领域，任务的复杂性不断增加。因此，开发能够满足这些计算需求而不耗尽地球宝贵资源的芯片技术至关重要，” ASML 总裁兼首席执行官 Peter Wennink 说。